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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2303DS-T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI2303P_13 | MCC |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| SI2304 | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI2304 | MCC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| SI2304 | HC |
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SOT-23 |
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| SI2304 | HOTTECH |
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SOT-23 |
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| SI2304A | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| SI2304BDS | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI2304BDS_08 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI2304BDS-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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