SI2304DS

更新时间： 2024-11-18 06:11:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管 PC
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描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2304DS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2304DS 数据手册

Si2304DS

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.117 @ V = 10 V

2.5

2.0

0.190 @ V = 4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2304DS (A4)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

2.5

T = 25_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

2.0

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.25

T = 25_C

1.25

Power Dissipation

T = 70_C

0.80

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

100

166

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

c. Surface Mounted on FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70756

S-63633—Rev. D, 01-Nov-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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