SI2303DS

更新时间： 2024-11-19 22:21:51

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威世 - VISHAY		/
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4页	59K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2303DS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI2303DS 数据手册

Si2303DS

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.240 @ V = –10 V

–1.7

–1.3

–30

0.460 @ V = –4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2303DS (A3)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

–30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

–1.7

–1.4

–10

Continuous Drain Current (T = 150_C)

(surface mounted on FR4 board, t v 5 sec)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)

(surface mounted on FR4 board, t v 5 sec)

–1.25

= 25_C

= 70_C

1.25

0.8

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Unit

Maximum Junction-to-Ambient (surface mounted on FR4 board, t v 5 sec)

100

166

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Ambient (surface mounted on FR4 board)

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70770

S-49557—Rev. B, 27-Apr-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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