SHD218501

更新时间： 2024-09-16 11:57:07

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
3页	58K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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SHD218501 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-MXSO-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-MXSO-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD218501 数据手册

SHD218501

SHD218501A

SHD218501B

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 303, REV. B

Formerly Part Number SHD2181/A/B

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

60 Volt, 0.027 Ohm, 45A MOSFET

Isolated Hermetic Metal Package

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

Equivalent to IRFM054 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

SYMBOL

V_GS

MIN.

TYP.

MAX.

±20

UNITS

Volts

I_D

Amps

ON-STATE DRAIN CURRENT

V_GS= 10V

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

@ T_C= 25°C

I_DM

T_OP/T_STG

P_D

-55

220

+150

200

Amps

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

°C

Watts

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 35A

R_DS(ON)

V_GS(th)

g_fs

0.027

4.0

Volts

2.0

GATE THRESHOLD VOLTAGE

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

S(1/W)

V_DS³ 15V, I_DS= 35A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

I_GSS

250

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125°C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_DD= 30V,

I_D= 35A,

100

-100

180

100

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

nsec

Volts

nsec

R_G= 2.35W

V_SD

2.5

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_C= 25°C, I_S= 35A,

V_GS= 0V

T_J= 25°C,

t_rr

280

REVERSE RECOVERY TIME

I_F= 35A,

di/ds £ 100A/msec, V_DD£ 50V

V_GS= 0 V

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

4600

2000

340

V_DS= 25 V

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

R_thJC

0.6

°C/W

· 221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (516) 586-7600 · FAX (516) 242-9798 ·

· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com · E-mail Address- sales@sensitron.com ·

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHD218501A	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SHD218501B	SENSITRON	获取价格	NSM
SHD218502	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD218502A	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SHD218502B	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SHD218504	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD218504A	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SHD218504B	SENSITRON	获取价格	暂无描述
SHD218505	SENSITRON	获取价格	HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL
SHD218505A	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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