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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-MXSO-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MXSO-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD218501A | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SHD218501B | SENSITRON |
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NSM |
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| SHD218502 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218502A | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD218502B | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SHD218504 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
|
| SHD218504A | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SHD218504B | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SHD218505 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
|
| SHD218505A | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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