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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XXSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.79 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XXSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD218504A | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD218504B | SENSITRON |
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暂无描述 |
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| SHD218505 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218505A | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD218505B | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD218507 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218507A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218507B | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218508 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218508A | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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