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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.79 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD218513 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218513A | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218513B | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2185A | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD2185AS | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2185B | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD2185S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2186 | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD218602 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218602A | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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