SHD218507A

更新时间： 2024-11-09 09:26:39

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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SHD218507A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD218507A 数据手册

SHD218507

SHD218507A

SHD218507B

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4064, REV. -

Formerly part number SHD2187

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

900 Volt, 1.6-Ohm, 6.7A MOSFET

Hermetic Package

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

I_D

I_DM

T_J/T_STG

P_D

MIN.

-55

TYP.

MAX.

±20

6.7

+150

160

UNITS

Volts

Amps

°C

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TOTAL DEVICE DISSIPATION

Watts

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

1000

Volts

V_GS= 0V, I_D= 250

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

1.6

V_GS= 10V, I_D=

R_DS(ON)

4.0A

GATE THRESHOLD VOLTAGE

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS= V_GS, I_D= 250 mA

V_GS(th)

g_fs

2.0

4.9

4.5

Volts

S(1/W)

V_DS= 100V, I_D=

4.0A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8 x Max. rating, V_GS= 0V, T_J= 25°C

I_DSS

100

500

T_J=

125°C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_DD= 450V

I_D=

I_GSS

100

-100

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

20 34

130 37

nsec

6.7A

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS=10V

R_G=

6.2W

DIODE FORWARD VOLTAGE

I_S= 6.7A, V_GS= 0V

V_SD

1.8

Volts

nsec

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25°C,

IF=6.7A, V_DD

t_rr

610

920

100V

·221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (631) 586-7600 · FAX (631) 242-9798·

· World Wide Web Site - www.sensitron.com · E-Mail Address - sales@sensitron.com ·

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