是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CSSO-G2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-CSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 150 W | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SHD2185AS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SHD2185B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2185S | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SHD2186 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218602 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD218602A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD218602B | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL | |
SHD2186A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2186B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2187 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |