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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-MSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 430 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD218513B | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2185A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD2185AS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2185B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD2185S | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2186 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD218602 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218602A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD218602B | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2186A | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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