SHD218602B

更新时间： 2024-09-16 09:26:39

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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SHD218602B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SHD218602B 数据手册

SHD218602

SHD218602A

SHD218602B

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 863, REV -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

•

100 Volt, 0.020 Ohm MOSFET

Isolated and Hermetically Sealed

Surface Mount Package

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

±20

UNITS

Volts

Amps

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25°C

V_GS=10V, T_C= 100°C

V_GS

I_D

I_DM

T_OP/T_STG

R_θJC

-55

300

+150

0.30

300

Amps

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25°C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

°C

°C/W

Watts

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 250μA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 37.5A

V_GS= 10V, I_D= 37.5A, T_J= 125°C

R_DS(ON)

0.02

0.035

GATE THRESHOLD VOLTAGE

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS(th)

g_fs

2.0

4.0

Volts

S(1/Ω)

V_DS≥ 10V, I_D= 75A

I_DSS

I_GSS

250

1000

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT, T_J= 25°C

(V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V), T_J= 125°C

μA

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_GS= 10 V,

V_DS= 50V,

I_D=37.5A

100

-100

260

160

1.3

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

V_SD

180

V_DD= 250V,

I_D= 3.7A,

RISE TIME

nsec

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

R_G= 2.0Ω,

_GS= 15V

Volts

nsec

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_J= 25°C, I_F=, I_S

V_GS= 0V

t_rr

200

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25°C,

I_S= 10A,

di/dt ≤ = 100A/μsec,

Q_rr

1.4

μC

REVERSE RECOVERY CHARGE

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

V_GS= 0V, V_DS= 25V,

f=1MHz

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

4500

1600

800

• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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