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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SHD218502B
SHD218502B PDF预览

SHD218502B

更新时间： 2024-09-16 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SHD-5B, 3 PIN

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SHD218502B 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHD218502B 数据手册

 浏览型号SHD218502B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD218502B的Datasheet PDF文件第3页 
SHD218502  
SHD218502A  
SHD218502B  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 547, REV. -  
Formerly Part Number SHD2182/A/B  
HERMETIC POWER MOSFET  
N-CHANNEL  
FEATURES:  
·
·
·
·
·
100 Volt, .055 Ohm, 38A MOSFET  
Isolated Hermetic Metal Package  
Fast Switching  
Low RDS (on)  
Equivalent to IRFM150  
MAXIMUM RATINGS  
ALL RATINGS ARE AT TC = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
RATING  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
SYMBOL  
VGS  
MIN.  
-
TYP.  
-
MAX.  
±20  
38  
152  
+150  
UNITS  
Volts  
ON-STATE DRAIN CURRENT  
PULSED DRAIN CURRENT  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE  
ID  
IDM  
TJ/TSTG  
-
-
-
-
-
Amps  
Amps  
@ TC = 25°C  
-55  
°C  
PD  
RthJC  
-
-
-
-
200  
0.6  
Watts  
°C/W  
TOTAL DEVICE DISSIPATION @  
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE  
TC = 25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE  
BVDSS  
100  
-
-
Volts  
VGS = 0V, ID = 1.0 mA  
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE  
VGS = 10V, ID = 24A  
RDS(ON)  
VGS(th)  
-
-
-
0.055  
4.0  
W
Volts  
2.0  
GATE THRESHOLD VOLTAGE  
VDS = VGS, ID = 250mA  
FORWARD TRANSCONDUCTANCE  
S(1/W)  
gfs  
9.0  
-
-
-
-
VDS ³ 15V,  
IDS = 24A  
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT  
VDS = 0.8 x Max. rating, VGS = 0V  
IDSS  
-
-
25  
mA  
TJ = 25°C  
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT  
VDS = 0.8 x Max. rating, VGS = 0V  
IDSS  
IGSS  
250  
mA  
TJ = 125°C  
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD  
VGS = 20V  
VGS = -20V  
VDD = 50V,  
ID = 38A,  
-
-
-
-
100  
-100  
35  
190  
170  
130  
nA  
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE  
TURN ON DELAY TIME  
RISE TIME  
TURN OFF DELAY TIME  
FALL TIME  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
nsec  
Volts  
nsec  
pF  
RG = 2.35W  
VSD  
-
-
-
-
1.8  
DIODE FORWARD VOLTAGE  
TC = 25°C, IS = 38A,  
VGS = 0V  
TJ = 25°C,  
trr  
500  
REVERSE RECOVERY TIME  
IF = 38A,  
di/ds £ 100A/msec, VDD £ 50V  
VGS = 0 V  
INPUT CAPACITANCE  
Ciss  
Coss  
Crss  
-
3700  
1100  
200  
-
OUTPUT CAPACITANCE  
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE  
VDS = 25 V  
f = 1.0MHz  
· 221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (631) 586-7600 · FAX (631) 242-9798 ·  
· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com· E-mail Address - sales@sensitron.com ·  
123

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 		暂无描述
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