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SEMIX302GB12E4S

更新时间： 2024-01-09 19:22:50

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX302GB12E4S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	463 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X8	元件数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	681 ns
标称接通时间 (ton)：	342 ns	VCEsat-Max：	2.05 V
Base Number Matches：	1

SEMIX302GB12E4S 数据手册

SEMiX302GB12E4s

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

463

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

356

I_Cnom

300

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

900

V_GES

-20 ... 20

SEMiX^®2s

V_CC= 800 V

V_GE≤ 20 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

SEMiX302GB12E4s

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

356

266

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

300

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

900

Features

• Homogeneous Si

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

1620

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic Welding

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

• Dynamic values apply to the

following combination of resistors:

I_C= 300 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.8

2.2

2.05

2.4

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

3.3

5.0

5.8

0.1

0.9

0.8

3.8

5.3

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

_Gon,main= 0,5 Ω

_Goff,main= 0,5 Ω

_G,X= 2,2 Ω

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

_E,X= 0,5 Ω

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

18.6

1.16

1.02

1700

2.50

282

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 150 °C

V_CC= 600 V

I_C= 300 A

E_on

t_d(off)

t_f

R_{G on}= 1.9 Ω

564

117

_{G off}= 1.9 Ω

di/dt_on= 5000 A/µs

di/dt_off= 2800 A/µs

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.096

Rev. 1 – 20.02.2009

12 3 4 5

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