5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| RN1107MFV(TPL3) | TOSHIBA | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms |
获取价格 |
|
| RN1108 | TOSHIBA | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
获取价格 |
|
| RN1108(TE85L) | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
获取价格 |
|
| RN1108(TE85L,F) | TOSHIBA | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
获取价格 |
|
| RN1108(TE85R) | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
获取价格 |
|
| RN1108ACT | TOSHIBA | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
获取价格 |
|
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
一文带你了解无源晶振的负载电容为何要加两颗谐振电容CL1和CL2
玻璃管保险丝与陶瓷管保险丝：区别与替代性探讨
PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
