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PZT5551-TP

更新时间： 2024-09-14 20:42:51

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美微科 - MCC		/
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2页	396K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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PZT5551-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

PZT5551-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

PZT5551

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

ꢀꢁ High Voltage Amplifier Application

ꢀꢁ Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

ꢀꢁ Moisure Sensitivity Level 1

NPN

Plastic-Encapsulate

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Marking: ZT5551

Transistors

ꢀ

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Value

160

180

6.0

0.6

1.0

150

-55 to +150

Unit

^OC

SOT-223

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current DC

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

ꢀ

T_STG

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25ꢂC Unless Otherwise Specified

Typ

ꢀ

Symbol

Parameter

Min

Max Units

ꢀ

OFF CHARACTERISTICS

ꢀ

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Collector-Base Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Voltage

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Voltage

(I_E=10uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=120Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

ꢀ

180

160

6.0

---

Vdc

ꢀ

---

Vdc

ꢀ

nAdc

ꢀ

I_EBO

ꢀ

---

ꢀ

h_FE(1)

DC Current Gain

ꢀ

1. BASE

(V_CE=5.0Vdc, I_C=1mAdc)

ꢀ

---

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ꢀ

h_FE(2)

h_FE(3)

DC Current Gain

(V_CE=5.0Vdc, I_C=10mAdc)

DC Current Gain

ꢀ

250

---

DIMENSIONS

INCHES

---

(V_CE=5.0Vdc, I_C=50mAdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=10mAdc,I_B=1mAdc)

DIM

MIN

.248

MAX

MIN

MAX

NOTE

.264

6.30

6.70

V_CE(sat)

Vdc

---

0.15

.130

.264

.001

.114

.146

.287

.004

.122

3.30

6.70

0.02

2.90

3.70

7.30

0.10

3.10

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=50mAdc,I_B=5mAdc)

Vdc

---

0.2

.091

2.30

Base-Emitter Voltage

(I_C=10mAdc,I_B=1mAdc)

Base-Emitter Voltage

(I_C=50mAdc,I_B=5mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=10Vdc, I_C=10mAdc,

f=100MHz)

Vdc

---

- - -

.071

.014

---

0.23

0.75

1.80

0.35

- - -

.009

.030

100

---

300

MHz

Collector output capacitance

---

Cob

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1MHz)

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2014/11/06

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与PZT5551-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT5551-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
PZT559	SECOS	获取价格	PNP Silicon Planar
PZT559A	SECOS	获取价格	Silicon Planar Medium Power Transistor
PZT65	ONSEMI	获取价格	HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT651	ONSEMI	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN
PZT651	UTC	获取价格	NPN
PZT651T1	ONSEMI	获取价格	HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT651T1/D	ETC	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651T1G	ONSEMI	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor

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