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PZT751T1

更新时间： 2024-09-14 22:06:27

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	122K
描述
SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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PZT751T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.78
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	75 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

PZT751T1 数据手册

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by PZT751T1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer

applications. The device is housed in the SOT–223 package which is designed for

medium power surface mount applications.

SOT–223 PACKAGE

HIGH CURRENT

PNP SILICON

TRANSISTOR

SURFACE MOUNT

•

High Current: 2.0 Amp

The SOT–223 Package can be soldered using wave or reflow.

SOT–223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal

conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed

leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of

damage to the die

•

Available in 12 mm Tape and Reel

COLLECTOR 2, 4

Use PZT751T1 to order the 7 inch/1000 unit reel.

Use PZT751T3 to order the 13 inch/4000 unit reel.

BASE

NPN Complement is PZT651T1

CASE 318E-04, STYLE 1

TO-261AA

EMITTER 3

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

5.0

2.0

Collector Current

(1)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

0.8

6.4

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

DEVICE MARKING

ZT751

stg

–65 to 150

150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance from Junction–to–Ambient in Free Air

156

°C/W

θJA

Maximum Temperature for Soldering Purposes

Time in Solder Bath

260

°C

Sec

1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PZT751T1	ONSEMI	功能相似	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T1G	ONSEMI	功能相似	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor

与PZT751T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT751T1/D	ETC	获取价格	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T1G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T1G_10	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T3	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
PZT772	WEITRON	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistor
PZT772	SECOS	获取价格	Epitaxial Planar Transistor
PZT772J	SECOS	获取价格	PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT772J-Y	SECOS	获取价格	PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT772J-Y-C	SECOS	获取价格	PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT882	SECOS	获取价格	Epitaxial Planar Transistor

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