5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PZT751T1G
PZT751T1G PDF预览

PZT751T1G

更新时间： 2024-09-14 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 128K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

PZT751T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.95Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1138187
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223 TP-261 CASE 318E-04
Samacsys Released Date：2019-05-31 11:21:12Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

PZT751T1G 数据手册

 浏览型号PZT751T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PZT751T1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PZT751T1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PZT751T1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PZT751T1G的Datasheet PDF文件第6页 
PZT751T1  
Preferred Device  
PNP Silicon Planar  
Epitaxial Transistor  
This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in  
industrial and consumer applications. The device is housed in the  
SOT−223 package which is designed for medium power surface  
mount applications.  
http://onsemi.com  
Features  
• High Current: 2.0 A  
• The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow.  
• SOT−223 package ensures level mounting, resulting in improved  
thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating  
the possibility of damage to the die  
SOT−223 PACKAGE  
HIGH CURRENT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
COLLECTOR 2, 4  
• NPN Complement is PZT651T1  
• Pb−Free Package is Available  
BASE  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
EMITTER 3  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
MARKING  
DIAGRAM  
V
CEO  
V
80  
CBO  
EBO  
V
5.0  
2.0  
TO−261AA  
D
I
C
CASE 318E  
ZT 751  
STYLE 1  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.8  
6.4  
W
mW/°C  
A
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
−65 to 150  
°C  
°C  
stg  
ZT 751 = Specific Device Code  
T
150  
J
D
= Date Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance from Junction−to−  
Ambient in Free Air  
R
156  
°C/W  
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
PZT751T1  
SOT−223  
1000 / Tape & Reel  
1000 / Tape & Reel  
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
PZT751T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
Sec  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board using minimum  
recommended footprint.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 4  
PZT751T1/D  
123456

中文翻译

下载PDF

PZT751T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PZT751T1 ONSEMI

类似代替

 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
NZT751 FAIRCHILD

功能相似

 PNP Current Driver Transistor

与PZT751T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZT751T1G_10 ONSEMI

获取价格

 		PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T3 MOTOROLA

获取价格

 		2000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
PZT772 WEITRON

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Transistor
PZT772 SECOS

获取价格

 		Epitaxial Planar Transistor
PZT772J SECOS

获取价格

 		PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT772J-Y SECOS

获取价格

 		PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT772J-Y-C SECOS

获取价格

 		PNP Plastic Encapsulated Transistor
PZT882 SECOS

获取价格

 		Epitaxial Planar Transistor
PZT882J SECOS

获取价格

 		3A, 40V NPN Silicon Medium Power Transistor
PZT882J-C SECOS

获取价格

 		NPN Silicon Medium Power Transistor

与PZT751T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证