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PZTA06

更新时间: 2024-11-05 22:06:27
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
NPN general purpose transistor

PZTA06 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.74外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

PZTA06 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PZTA06  
NPN general purpose transistor  
1997 Jul 14  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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