5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZT651T1 | ONSEMI |
获取价格 |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
|
| PZT651T1/D | ETC |
获取价格 |
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor |
|
| PZT651T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor |
|
| PZT651T3 | ONSEMI |
获取价格 |
2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN |
|
| PZT651T3G | ONSEMI |
获取价格 |
2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, |
|
| PZT669A | SECOS |
获取价格 |
Epitaxial Planar Transistor |
|
| PZT6718 | SECOS |
获取价格 |
Epitaxial Planar Transistor |
|
| PZT7052 | TI |
获取价格 |
0.5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| PZT7052/S62Z | TI |
获取价格 |
0.5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| PZT751 | MOTOROLA |
获取价格 |
2000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
