PZT651T1

更新时间： 2024-09-13 22:26:03

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	104K
描述
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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PZT651T1 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	CASE 318E-04, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	75 MHz	Base Number Matches：	1

PZT651T1 数据手册

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by PZT651T1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer

applications. The device is housed in the SOT–223 package which is designed for

medium power surface mount applications.

SOT–223 PACKAGE

HIGH CURRENT

NPN SILICON

TRANSISTOR

SURFACE MOUNT

•

High Current: 2.0 Amp

The SOT–223 package can be soldered using wave or reflow.

SOT–223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal

conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed

leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility

of damage to the die.

•

Available in 12 mm Tape and Reel

Use PZT651T1 to order the 7 inch/1000 unit reel

Use PZT651T3 to order the 13 inch/4000 unit reel

COLLECTOR 2,4

BASE

PNP Complement is PZT751T1

CASE 318E–04, STYLE 1

TO–261AA

EMITTER 3

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

5.0

2.0

Collector Current

(1)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

0.8

6.4

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

DEVICE MARKING

651

stg

–65 to 150

150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance from Junction–to–Ambient in Free Air

156

°C/W

θJA

Maximum Temperature for Soldering Purposes

Time in Solder Bath

260

°C

Sec

1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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PZT651T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PZT651	ONSEMI	类似代替	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651T1G	ONSEMI	功能相似	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor

与PZT651T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT651T1/D	ETC	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651T1G	ONSEMI	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT651T3	ONSEMI	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
PZT651T3G	ONSEMI	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
PZT669A	SECOS	获取价格	Epitaxial Planar Transistor
PZT6718	SECOS	获取价格	Epitaxial Planar Transistor
PZT7052	TI	获取价格	0.5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
PZT7052/S62Z	TI	获取价格	0.5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
PZT751	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN
PZT751	UTC	获取价格	PNP

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