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PTB20101

更新时间： 2024-11-18 09:58:55

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1页	45K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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PTB20101 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20101 数据手册

PTB20101

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .860 4L FLG

DESCRIPTION:

The ASI PTB20101 is Designed for

General Purpose Class AB Power

Amplifier Applications up to 860 MHz.

FEATURES:

• 175 W, 470-860 MHz

• Silicon Nitride Passivated

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

20 A

I_C

65 V

V_CBO

P_DISS

T_J

330 W @ T_C= 25 °C

-40 °C to +150 °C

0.53 °C/W

T_STG

θ_JC

1,5 = COLLECTOR

3 = EMITTER 2,4 = BASE

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 5.0 mA

BV_CES

BV_EBO

h_FE

3.5

_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

5:1

---

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

3.5

C_OB

8.5

175

P_G

η_C

P_OUT

V_CC= 28 V

P_OUT= 110 W

P_OUT= 175 W

I_CQ= 2x200 mA

---

V_CC= 28 V

f = 860 MHz

I_CQ= 2x200 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. C

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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与PTB20101相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20105	ERICSSON	获取价格	20 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20110	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PTB20111	ERICSSON	获取价格	85 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20111	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PTB20124	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
PTB20125	ERICSSON	获取价格	100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20134	ERICSSON	获取价格	30 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20135	ERICSSON	获取价格	85 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20141	ERICSSON	获取价格	18 Watts, 1.465-1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20144	ERICSSON	获取价格	6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor