Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> PTB20167

PTB20167

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

品牌	Logo	应用领域
爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	50K
描述
60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PTB20167 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTB20167 数据手册

PTB 20167

60 Watts, 850–960 MHz

RF Power Transistor

Description

The 20167 is an NPN, common base RF power transistor intended

for 24 Vdc operation from 850 to 960 MHz. Rated at 60 watts minimum

output power, it is specifically designed for class C power amplifier

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

24 Volt, 905 MHz Common Base Characteristics

- Output Power = 60 W

- Power Gain = 7.0 dB Min

- Efficiency = 60% Min

Double Input/Output Matched for Wideband

Performance

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

20167

LOT CODE

V_CC= 24 V

f = 905 MHz

Input Power (Watts)

Package 20200

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

175

Watts

W/°C

flange

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

12 3

中文翻译

下载PDF

与PTB20167相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB-20-16PS(027)	AMPHENOL	获取价格	Circular Connector Adapter,
PTB20170	ERICSSON	获取价格	30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20171	ERICSSON	获取价格	25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20174	ERICSSON	获取价格	90 Watts, 1400-1600 MHz RF Power Transistor
PTB20175	ERICSSON	获取价格	55 Watts, 1.9-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20176	ERICSSON	获取价格	5 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor
PTB20177	ERICSSON	获取价格	150 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20179	ERICSSON	获取价格	0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20180	ERICSSON	获取价格	2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20181	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN