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PTB20124

更新时间: 2024-11-18 15:48:35
品牌 Logo 应用领域
爱立信 - ERICSSON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN

PTB20124 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):7.8 A
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PTB20124 数据手册

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