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PTB20175

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

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爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器蜂窝蜂窝式无线局域网
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描述
55 Watts, 1.9-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor

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PTB20175 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTB20175 数据手册

PTB 20175

55 Watts, 1.9–2.0 GHz

Cellular Radio RF Power Transistor

Description

The 20175 is a class AB, NPN common emitter RF power transistor

intended for 26 Vdc operation from 1.9 to 2.0 GHz. It is rated at 55

watts minimum output power and may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

55 Watts, 1.9–2.0 GHz

Class AB Characteristics

40% Collector Efficiency at 55 Watts

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

20175

LOT CODE

V_CC= 26 V

_CQ= 0.150 A

f = 2 GHz

Package 20223

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

CER

CES

EBO

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25° C

233

flange

1.33

W/°C

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

Tstg

–40 to +150

.75

°C

= 70° C)

θJC

°C/W

flange

9/28/98

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20176	ERICSSON	获取价格	5 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor
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PTB20179	ERICSSON	获取价格	0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
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