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PTB20162

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

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爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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2页	45K
描述
40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor

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PTB20162 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTB20162 数据手册

PTB 20162

40 Watts, 470–900 MHz

RF Power Transistor

Description

The 20162 is an NPN common emitter RF power transistor intended

for 25 Vdc class AB operation from 470 to 900 MHz. Rated at 40

watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

40 Watts, 470–900 MHz

Class AB Characteristics

50% Min Collector Efficiency at 40 Watts

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power & Efficiency vs. Input Power

20162

LOT CODE

V_CC= 25 V

_CQ= 200 mA

f = 900 MHz

Package 20226

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

10.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

Watts

W/°C

flange

0.45

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

2.2

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

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与PTB20162相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20166	ERICSSON	获取价格	23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
PTB-20-16PS(027)	AMPHENOL	获取价格	Circular Connector Adapter,
PTB20170	ERICSSON	获取价格	30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20171	ERICSSON	获取价格	25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20174	ERICSSON	获取价格	90 Watts, 1400-1600 MHz RF Power Transistor
PTB20175	ERICSSON	获取价格	55 Watts, 1.9-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20176	ERICSSON	获取价格	5 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor
PTB20177	ERICSSON	获取价格	150 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20179	ERICSSON	获取价格	0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor