Datasheet > PTB20151

PTB20151

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

品牌	Logo	应用领域
爱立信 - ERICSSON		晶体晶体管过程控制系统个人通信 PCS 放大器 PCN 局域网
页数	文件大小	规格书
5页	642K
描述
45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PTB20151 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	7.7 A
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTB20151 数据手册

PTB 20151

45 Watts, 1.8–2.0 GHz

PCN/PCS Power Transistor

Description

45 Watts, 1.8–2.0 GHz

The 20151 is a class AB, NPN common emitter RF power transistor

intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 45 watts

minimum output power for PEP applications, it is specifically intended

for operation as a final or driver stage in CDMA or TDMA systems.

Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization

ensure excellent device reliability. 100% lot traceability is standard.

Class AB Characteristics

40% Collector Efficiency at 45 W

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

20151

LOT CODE

V_CC= 26 V

I_CQ= 100 mA

f = 2.0 GHz

Input Power (Watts)

Package 20223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

7.7

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25° C

200

1.2

Watts

W/°C

flange

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

0.85

°C

STG

= 70° C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与PTB20151相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20155	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 610-960 MHz UHF Power Transistor
PTB20156	ERICSSON	获取价格	8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor
PTB20157	ERICSSON	获取价格	20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
PTB20157A	ASI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor
PTB20159	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PTB20162	ERICSSON	获取价格	40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor
PTB20166	ERICSSON	获取价格	23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
PTB-20-16PS(027)	AMPHENOL	获取价格	Circular Connector Adapter,
PTB20170	ERICSSON	获取价格	30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor