Datasheet > PTB20157

PTB20157

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

品牌	Logo	应用领域
爱立信 - ERICSSON		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PTB20157 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20157 数据手册

PTB 20157

20 Watts, 1.35–1.85 GHz

RF Power Transistor

Description

The 20157 is an NPN common base RF power transistor intended

for 22–26 Vdc class C operation from 1.35 to 1.85 GHz. Rated at 20

watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

20 Watts, 1.35–1.85 GHz

Class C Characteristics

40% Min Collector Efficiency at 20 Watts

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

20157

LOT CODE

V_CC= 22 V

f = 1.85 GHz

Package 20209

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

Watts

W/°C

flange

0.43

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

2.33

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

12 3

中文翻译

下载PDF

与PTB20157相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20157A	ASI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor
PTB20159	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PTB20162	ERICSSON	获取价格	40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor
PTB20166	ERICSSON	获取价格	23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
PTB-20-16PS(027)	AMPHENOL	获取价格	Circular Connector Adapter,
PTB20170	ERICSSON	获取价格	30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20171	ERICSSON	获取价格	25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20174	ERICSSON	获取价格	90 Watts, 1400-1600 MHz RF Power Transistor
PTB20175	ERICSSON	获取价格	55 Watts, 1.9-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor