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PTB20147

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

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爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器蜂窝蜂窝式无线
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2页	388K
描述
2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor

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PTB20147 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20147 数据手册

PTB 20147

2.5 Watts, 1.8–2.0 GHz

Cellular Radio RF Power Transistor

Description

The 20147 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor

intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 2.5 watts

minimum output power, it may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

2.5 Watts, 1.8–2.0 GHz

Class AB Characteristics

35% Collector Efficiency at 4 Watts

Tested to solderability standards:

- IEC-68-2-54

- ANSI/J Std-002-A

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Surface Mountable

Available in Tape and Reel

Typical Output Power vs. Input Power

V_CC= 26 V

I_CQ= 40 mA

f = 2.0 GHz

20147

LOT CODE

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

Package 20208

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

1.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

Watts

W/°C

flange

0.057

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

17.5

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

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与PTB20147相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20148	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20151	ERICSSON	获取价格	45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20155	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 610-960 MHz UHF Power Transistor
PTB20156	ERICSSON	获取价格	8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor
PTB20157	ERICSSON	获取价格	20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
PTB20157A	ASI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor
PTB20159	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PTB20162	ERICSSON	获取价格	40 Watts, 470-900 MHz RF Power Transistor
PTB20166	ERICSSON	获取价格	23 Watts, 675-925 MHz Common Base RF Power Transistor
PTB20167	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor