Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> PTB20134

PTB20134

更新时间： 2024-11-17 22:26:11

品牌	Logo	应用领域
爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器蜂窝无线局域网
页数	文件大小	规格书
2页	46K
描述
30 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PTB20134 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F6	端子数量：	6
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20134 数据手册

PTB 20134

30 Watts, 860–900 MHz

Cellular Radio RF Power Transistor

Description

The 20134 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor

intended for 25 Vdc operation from 860 to 900 MHz. Rated at 30

watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

30 Watts, 860–900 MHz

Class AB Characteristics

50% Min Collector Efficiency at 30 Watts

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

V_CC= 25 V

I_CQ= 100 mA

f = 900 MHz

20134

LOT CODE

Package 20201

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

8.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

Watts

W/°C

flange

0.45

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

2.2

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

中文翻译

下载PDF

与PTB20134相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20135	ERICSSON	获取价格	85 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20141	ERICSSON	获取价格	18 Watts, 1.465-1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20144	ERICSSON	获取价格	6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20145	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20146	ERICSSON	获取价格	0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20147	ERICSSON	获取价格	2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20148	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20151	ERICSSON	获取价格	45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20155	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 610-960 MHz UHF Power Transistor
PTB20156	ERICSSON	获取价格	8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor