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PTB20144

更新时间： 2024-11-17 22:44:15

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爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管放大器蜂窝无线
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

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PTB20144 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	1.7 A
集电极-发射极最大电压：	24 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20144 数据手册

PTB 20144

6 Watts, 915–960 MHz

Cellular Radio RF Power Transistor

Description

The 20144 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor

intended for 25 Vdc operation from 915 to 960 MHz. Rated at 6 watts

minimum output power, it may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot

traceability is standard.

6 Watts, 915–960 MHz

Class AB Characteristics

50% Typ Collector Efficiency at 6 Watts

Tested to solderability standards:

- IEC-68-2-54

- ANSI/J Std-002-A

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

V_CC= 25 V

I_CQ= 50 mA

f = 960 MHz

20144

LOT CODE

0.00

0.25

0.50

0.75

1.00

1.25

Input Power (Watts)

Package 20208

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

1.7

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

Watts

W/°C

flange

0.125

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

°C

stg

= 70°C)

θJC

°C/W

flange

9/28/98

12 3

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与PTB20144相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20145	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20146	ERICSSON	获取价格	0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20147	ERICSSON	获取价格	2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20148	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20151	ERICSSON	获取价格	45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20155	ERICSSON	获取价格	9 Watts, 610-960 MHz UHF Power Transistor
PTB20156	ERICSSON	获取价格	8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor
PTB20157	ERICSSON	获取价格	20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
PTB20157A	ASI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor
PTB20159	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN