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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.24 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5401-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5401TRL | NXP |
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暂无描述 |
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| PMBT5401TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5401TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| PMBT5550 | NXP |
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NPN high-voltage transistor |
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| PMBT5550 | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
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| PMBT5550,215 | NXP |
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PMBT5550 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT5550/T1 | ETC |
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TRANSISTOR HIGH VOLTAGE |
|
| PMBT5550/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550-Q | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
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