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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.19 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5551 | NXP |
完全替代  |
NPN high-voltage transistor |
|
| MMBT5551 | DIOTEC |
类似代替 |
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5550-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5550-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5550TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5550TRL13 | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PMBT5550TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| PMBT5551 | NXP |
获取价格 |
NPN high-voltage transistor |
|
| PMBT5551 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBT5551,215 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 |
|
| PMBT5551,235 | NXP |
获取价格 |
PMBT5551 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT5551/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
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