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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.19 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5551-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
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| PMBT5551-T | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5551T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5551TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| PMBT6427TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| PMBT6428 | NXP |
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NPN general purpose transistors |
|
| PMBT6428 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6428 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN general purpose transistorsProduction |
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| PMBT6428,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT6428; PMBT6429 - NPN general purpose transistors TO-236 3-Pin |
|
| PMBT6428-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN, BIP Ge |
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