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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT6428,215 | NXP |
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PMBT6428; PMBT6429 - NPN general purpose transistors TO-236 3-Pin |
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| PMBT6428-T | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN, BIP Ge |
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| PMBT6428T/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, 3 PIN, |
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| PMBT6428-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBT6428-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBT6428TRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6428TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6429 | NXP |
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NPN general purpose transistors |
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| PMBT6429 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6429 | NEXPERIA |
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NPN general purpose transistorsProduction |
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