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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.2 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 基于收集器的最大容量： | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT6428-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBT6428TRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6428TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6429 | NXP |
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NPN general purpose transistors |
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| PMBT6429 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBT6429 | NEXPERIA |
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NPN general purpose transistorsProduction |
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| PMBT6429,215 | NXP |
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PMBT6428; PMBT6429 - NPN general purpose transistors TO-236 3-Pin |
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| PMBT6429-Q | NEXPERIA |
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45 V, 100 mA NPN general purpose transistorProduction |
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| PMBT6429-T | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN, BIP Ge |
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| PMBT6429T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, 3 PIN, |
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