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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551-TP | MCC |
功能相似  |
PNP Plastic Encapsulate Transistor |
|
| MMBT5551-7-F | DIODES |
功能相似 |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MMBT5551 | FAIRCHILD |
功能相似 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5551,215 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 |
|
| PMBT5551,235 | NXP |
获取价格 |
PMBT5551 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT5551/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5551-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBT5551-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5551T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5551TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT6427TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| PMBT6428 | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
|
| PMBT6428 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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