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PMBT5551,235

更新时间: 2024-11-09 19:43:31
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
7页 58K
描述
PMBT5551 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin

PMBT5551,235 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.19最大集电极电流 (IC):0.3 A
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

PMBT5551,235 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBT5551  
NPN high-voltage transistor  
Product data sheet  
2004 Jan 21  
Supersedes data of 1999 Apr 15  

PMBT5551,235 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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