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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.19 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5550TRL | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| PMBT5550TRL13 | NXP |
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暂无描述 |
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| PMBT5550TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| PMBT5551 | NXP |
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NPN high-voltage transistor |
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| PMBT5551 | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
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| PMBT5551,215 | ETC |
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TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 |
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| PMBT5551,235 | NXP |
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PMBT5551 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
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| PMBT5551/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
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| PMBT5551-Q | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBT5551-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
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