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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5550 | NXP |
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NPN high-voltage transistor |
|
| PMBT5550 | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
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| PMBT5550,215 | NXP |
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PMBT5550 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT5550/T1 | ETC |
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TRANSISTOR HIGH VOLTAGE |
|
| PMBT5550/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550-Q | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBT5550-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550T/R | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5550-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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