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PMBT5550

更新时间: 2024-11-04 22:44:23
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
NPN high-voltage transistor

PMBT5550 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.17
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.3 A
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:140 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

PMBT5550 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBT5550  
NPN high-voltage transistor  
1999 Apr 15  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 16  

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