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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBT5550 | NXP |
获取价格 |
NPN high-voltage transistor |
|
| PMBT5550 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high-voltage transistorProduction |
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| PMBT5550,215 | NXP |
获取价格 |
PMBT5550 - NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
|
| PMBT5550/T1 | ETC |
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TRANSISTOR HIGH VOLTAGE |
|
| PMBT5550/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550-Q | NEXPERIA |
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NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBT5550-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| PMBT5550-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| PMBT5550-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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