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PHPT60406PY

更新时间： 2024-11-03 11:12:51

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安世 - NEXPERIA		/
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15页	713K
描述
40 V, 6 A PNP high power bipolar transistorProduction

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PHPT60406PY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP-8, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.45
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

PHPT60406PY 数据手册

PHPT60406PY

40 V, 6 A PNP high power bipolar transistor

8 December 2014

Product data sheet

1. General description

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device

(SMD) power plastic package.

NPN complement: PHPT60406NY.

2. Features and benefits

High thermal power dissipation capability

•

Suitable for high temperature applications up to 175 °C

Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

3. Applications

Power management

Load switch

Linear mode voltage regulator

Backlighting applications

Motor drive

•

Relay replacement

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-40

I_C

collector current

-6

I_CM

peak collector current t_p≤ 1 ms; pulsed

-12

R_CEsat

collector-emitter

I_C= -6 A; I_B= -600 mA; pulsed;

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

mΩ

saturation resistance

12 3 4 5 6 7...15

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