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PHPT610030PK

更新时间： 2024-11-03 11:14:23

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	722K
描述
PNP/PNP high power double bipolar transistorProduction

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PHPT610030PK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

PHPT610030PK 数据手册

PHPT610030PK

PNP/PNP high power double bipolar transistor

22 October 2014

Product data sheet

1. General description

PNP/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-

Mounted Device (SMD) power plastic package.

NPN/NPN complement: PHPT610030NK.

NPN/PNP complement: PHPT610030NPK.

2. Features and benefits

High thermal power dissipation capability

•

Suitable for high temperature applications up to 175 °C

Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified

3. Applications

Motor control

Power management

Load switch

Linear mode voltage regulator

Backlighting applications

Relay replacement

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-100

-3

I_C

collector current

Per transistor

R_CEsat

collector-emitter

I_C= -2 A; I_B= -0.2 A; pulsed;

110

180

mΩ

saturation resistance

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...15

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