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PHPT61010NY

更新时间: 2024-11-03 11:14:27
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安世 - NEXPERIA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 715K
描述
100 V, 10 A NPN high power bipolar transistorProduction

PHPT61010NY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP-8, 4 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.53
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:MO-235
JESD-30 代码:R-PSSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):145 MHz

PHPT61010NY 数据手册

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PHPT61010NY  
100 V, 10 A NPN high power bipolar transistor  
20 March 2015  
Product data sheet  
1. General description  
NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted  
Device (SMD) power plastic package.  
PNP complement: PHPT61010PY  
2. Features and benefits  
High thermal power dissipation capability  
High temperature applications up to 175 °C  
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK  
High energy efficiency due to less heat generation  
AEC-Q101 qualified.  
3. Applications  
Power management  
Load switch  
Linear mode voltage regulator  
Backlighting applications  
Motor drive  
Relay replacement  
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
100  
V
IC  
collector current  
-
-
-
-
10  
20  
37  
A
ICM  
peak collector current single pulse; tp ≤ 1 ms  
-
A
RCEsat  
collector-emitter  
IC = 10 A; IB = 1 A; tp ≤ 300 µs;  
δ ≤ 0.02; Tamb = 25 °C; pulsed  
25  
mΩ  
saturation resistance  
 
 
 
 

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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