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PHPT60610PY

更新时间： 2024-11-03 11:13:47

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安世 - NEXPERIA		/
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13页	264K
描述
60 V, 10 A PNP high power bipolar transistorProduction

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PHPT60610PY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	85 MHz	Base Number Matches：	1

PHPT60610PY 数据手册

PHPT60610PY

60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor

15 January 2019

Product data sheet

1. General description

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power

plastic package.

NPN complement: PHPT60610NY

2. Features and benefits

•

High thermal power dissipation capability

•

High temperature applications up to 175 °C

Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

High energy efficiency due to less heat generation

AEC-Q101 qualified.

3. Applications

•

Power management

Load switch

Linear mode voltage regulator

Backlighting applications

Motor drive

Relay replacement

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

-60

I_C

collector current

-10

-20

I_CM

peak collector current pulsed; t_p≤ 1 ms

R_CEsat

collector-emitter

saturation resistance

I_C= -10 A; I_B= -1 A; t_p≤ 300 µs;

pulsed; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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