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PHN1015 PDF预览

PHN1015

更新时间： 2024-01-08 19:32:17
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
N-channel TrenchMOS transistor Logic level

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PHN1015 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

PHN1015 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
Logic level  
PHN1015  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
• Low-profile surface mount  
package  
VDSS = 25 V  
ID = 10 A  
R
DS(ON) ≤ 15 mΩ (VGS = 10 V)  
g
• Logic level compatible  
RDS(ON) ≤ 18 mΩ (VGS = 5 V)  
s
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT96-1 (SO8)  
N-channel enhancement mode  
logic level field-effect power  
transistor in a surface mounting  
plastic package using ’trench’  
technology.  
PIN  
DESCRIPTION  
8
7
6
5
1-3  
4
source  
gate  
Application:-  
5-8  
drain  
•
High frequency computer  
pin 1 index  
1
motherboard d.c. to d.c. converters  
2
3
4
The PHN1015 is supplied in the  
SOT96-1 (SO8) surface mounting  
package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
Tj = 25 ˚C to 150˚C;  
RGS = 20 kΩ  
-
-
-
25  
25  
V
V
VGS  
VGSM  
Gate-source voltage (DC)  
Gate-source voltage (pulse peak  
value)  
-
-
± 15  
± 20  
V
V
ID  
Drain current (tp ≤ 10 s)  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 70 ˚C  
-
-
-
-
-
-
10  
8
40  
2.5  
1.6  
150  
A
A
A
W
W
˚C  
IDM  
Ptot  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Tj, Tstg  
Operating junction and storage  
temperature  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-a  
Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board, t ≤ 10 sec  
to ambient  
-
50  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board  
to ambient  
150  
-
K/W  
December 1999  
1
Rev 1.300  
1234567

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与PHN1015相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHN1018 NXP

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 		N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1018/T3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR MOSFET SOT-96
PHN103 NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN103/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SOP-8, F
PHN103112 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103118 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
PHN103T NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General
PHN103T,118 NXP

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 		PHN103T
PHN103T/R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO

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