PHN1015

更新时间： 2024-11-28 22:26:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
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描述
N-channel TrenchMOS transistor Logic level

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PHN1015 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHN1015 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

Logic level

PHN1015

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low-profile surface mount

package

V_DSS= 25 V

I_D= 10 A

_DS(ON)≤ 15 mΩ (V_GS= 10 V)

• Logic level compatible

R_DS(ON)≤ 18 mΩ (V_GS= 5 V)

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT96-1 (SO8)

N-channel enhancement mode

logic level field-effect power

transistor in a surface mounting

plastic package using ’trench’

technology.

DESCRIPTION

1-3

source

gate

Application:-

5-8

drain

•

High frequency computer

pin 1 index

motherboard d.c. to d.c. converters

The PHN1015 is supplied in the

SOT96-1 (SO8) surface mounting

package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

T_j= 25 ˚C to 150˚C

T_j= 25 ˚C to 150˚C;

R_GS= 20 kΩ

V_GS

V_GSM

Gate-source voltage (DC)

Gate-source voltage (pulse peak

value)

± 15

± 20

I_D

Drain current (t_p≤ 10 s)

T_a= 25 ˚C

T_a= 70 ˚C

T_a= 25 ˚C

T_a= 70 ˚C

2.5

1.6

150

˚C

I_DM

P_tot

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

T_j, T_stg

Operating junction and storage

temperature

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-a}

Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board, t ≤ 10 sec

to ambient

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance junction Surface mounted, FR4 board

to ambient

150

K/W

December 1999

Rev 1.300

12 3 4 5 6 7

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与PHN1015相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHN1018	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1018/T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET SOT-96
PHN103	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN103/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SOP-8, F
PHN103112	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo
PHN103S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 25V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SO
PHN103T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General
PHN103T,118	NXP	获取价格	PHN103T
PHN103T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| SO

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