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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN103112 | NXP |
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TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo |
|
| PHN103118 | NXP |
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TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo |
|
| PHN103S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
|
| PHN103T | NXP |
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TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General |
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| PHN103T,118 | NXP |
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PHN103T |
|
| PHN103T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
|
| PHN103T/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General |
|
| PHN105-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 4.8 A, 20 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| PHN110 | NXP |
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N-channel enhancement mode MOS transistor |
|
| PHN110T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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