Datasheet > PHN103T,118

PHN103T,118

更新时间： 2024-02-01 00:18:30

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	98K
描述
PHN103T

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PHN103T,118 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8.6 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHN103T,118 数据手册

PHN103T

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 02 — 28 April 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Motor driver

■ Actuator driver

■ Battery management

■ High speed, low resistance switch.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage (DC)

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

T_sp= 25 °C; V_GS= 4.5 V

T_sp= 25 °C

drain current (DC)

8.6

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

6.25 W

150 °C

R_DSon

drain-source on-state resistance V_GS= 10 V; I_D= 5 A

V_GS= 4.5 V; I_D= 2.5 A

mΩ

2. Pinning information

Table 2:

Pinning - SOT96-1 (SO8), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与PHN103T,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHN103T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| SO
PHN103T/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General
PHN105-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 4.8 A, 20 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHN110	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN110T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| SO
PHN203	NXP	获取价格	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN203,118	NXP	获取价格	PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin
PHN205	NXP	获取价格	Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN205/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN205-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET Ge