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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.7 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN103T/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General |
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| PHN105-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 4.8 A, 20 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| PHN110 | NXP |
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N-channel enhancement mode MOS transistor |
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| PHN110T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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| PHN203 | NXP |
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Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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| PHN203,118 | NXP |
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PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin |
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| PHN205 | NXP |
获取价格 |
Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
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| PHN205/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI |
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| PHN205-T | NXP |
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TRANSISTOR 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET Ge |
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| PHN210 | NXP |
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Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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