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PHN210T,118

更新时间： 2024-11-27 15:47:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	126K
描述
PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 8-Pin

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PHN210T,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.4 A	最大漏极电流 (ID)：	3.4 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHN210T,118 数据手册

PHN210T

Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET

Rev. 02 — 15 December 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

 Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

 Suitable for logic level gate drive

sources

 Suitable for low gate drive sources

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Logic level translators

 Motor and relay drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C;

Repetitive peak drain-source

voltage

[1]

[2]

I_D

drain current

T_sp= 25 °C; Single device

T_sp= 25 °C

3.4

P_tot

total power

dissipation

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.5 V; I_D= 1 A;

T_j= 25 °C

120 200 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 2.2 A;

T_j= 25 °C

100 mΩ

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge V_GS= 10 V; I_D= 2.3 A;

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C

0.7

[1] Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec.

[2] Surface mounted on FR4, t ≤ 10 sec.

12 3 4 5 6 7...13

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PHN210T,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTMD6N02R2G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
NTMD4N03R2G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 4 A, 30 V, NâChannel SOâ8 Du
FDS9926A	FAIRCHILD	功能相似	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与PHN210T,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHN210T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
PHN210T/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTI
PHN210-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purp
PHN220	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 2.6A I(D) \| SO
PHN300	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
PHN320	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
PHN380	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
PHN400	ETC	获取价格	RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
PHN405	NXP	获取价格	4 N-channel 60 mohm FET array enhancement mode MOS transistors
PHN405118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AC, FET Ge

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