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PHN708118 PDF预览

PHN708118

更新时间: 2024-09-30 21:20:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 225K
描述
TRANSISTOR 3100 mA, 30 V, 7 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AG, FET General Purpose Small Signal

PHN708118 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76配置:COMPLEX
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):3.1 A
最大漏源导通电阻:0.08 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-150AGJESD-30 代码:R-PDSO-G24
元件数量:7端子数量:24
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PHN708118 数据手册

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